BSR33QTA, 100nA 80V 1W 100@100mA,5V 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP -65°C~+150°C@(Tj) SOT-89-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

348 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 225 ֏

от 150 шт. — 194 ֏

5 шт. на сумму 1 740 ֏

Номенклатурный номер: 8017630662

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Trans

Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	90 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BSR33
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Вес, г	0.15