D3V3H1B2LP-7B, -65°C~+150°C@(Tj) 3.8V 9.5V 100pF@1MHz 380W 3.3V X3-DFN0603 ESD ProtectIon DevIces ROHS
![D3V3H1B2LP-7B, -65°C~+150°C@(Tj) 3.8V 9.5V 100pF@1MHz 380W 3.3V X3-DFN0603 ESD ProtectIon DevIces ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/525/DOC006525133.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
32 ֏
от 150 шт. —
19 ֏
от 500 шт. —
14 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 270 ֏
Описание
Диоды для подавления переходных скачков напряжения / подавители ЭСР
Технические параметры
Cd - емкость диода | 100 pF |
Iпи - пиковый импульсный ток | 40 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Pppm - пиковое рассеивание мощности | 380 W |
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре | 30 kV |
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 30 kV |
Категория продукта | Диоды для подавления переходных скачков напряжения |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение пробоя | 3.8 V |
Напряжение фиксации | 9.5 V |
Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность | Bidirectional |
Рабочее напряжение | 3.3 V |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Тип выводов | SMD/SMT |
Тип продукта | TVS Diodes |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X1-DFN1006-2 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet D3V3H1B2LP-7B
pdf, 279 КБ