DDC113TU-7-F, 2 NPN - Pre-Biased 200mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors

Фото 1/2 DDC113TU-7-F, 2 NPN - Pre-Biased 200mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
102 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.58 ֏
от 300 шт.39 ֏
10 шт. на сумму 1 020 ֏
Номенклатурный номер: 8017630692
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
Type NPN
Configuration Dual
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 250
Typical Input Resistor (kOhm) 1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@1mA@10mA
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Commercial
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Pin Count 6
Supplier Package SOT-363
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1
Package Length 2.15
Package Width 1.3
PCB changed 6
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDC113
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 1 kOhms
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-363-6
Ширина 1.35 mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 456 КБ
Datasheet DDC113TU-7-F
pdf, 449 КБ