MMSTA05-7-F, 100nA 60V 200mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz 250mV@100mA,10mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
102 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
71 ֏
от 150 шт. —
53 ֏
от 500 шт. —
45 ֏
5 шт.
на сумму 510 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 60V 200mW
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMSTA |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Base Product Number | MMSTA05 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Вес, г | 0.04 |