MMBTRC104SS, +150°C@(Tj) 80@10mA,5V 0.3V@10mA,0.5mA 200MHz 200mW 1V@0.1mA,5V 5V@5mA,0.2V 1 NPN - Pre BIased TO-236-3 DIgItal TransIstors
1600 шт., срок 7-8 недель
40 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
27 ֏
от 600 шт. —
19 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW TO-236-3 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 674 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
