MMBT8550D, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
5450 шт., срок 7-8 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
18 ֏
от 3000 шт. —
12 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
25V 350mW 160@100mA,1V 600mA PNP TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT8550D
pdf, 132 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
