MMBT3906LP-7B, 50nA 40V 400mW 100@10mA,1V 200mA 300MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
141 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 705 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | MMBT39 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 362 КБ
