CSD13201W10, DSBGA-4 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

225 ֏

от 10 шт. — 163 ֏

от 30 шт. — 124 ֏

от 100 шт. — 97 ֏

1 шт. на сумму 225 ֏

Номенклатурный номер: 8017645880

МОП-транзистор N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	1.6 A
Pd - рассеивание мощности	1.2 W
Qg - заряд затвора	2.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	34 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	650 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.9 ns
Время спада	9.7 ns
Высота	0.62 mm
Длина	1 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	23 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	CSD13201W10
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14.4 ns
Типичное время задержки при включении	3.9 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	DSBGA-4
Ширина	1 mm
Вес, г	0.02