MMBTA56, 100nA 200mW 100@10mA,1V 500mA 50MHz 250mV@100mA,10mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
1340 шт., срок 7-8 недель
67 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
40 ֏
от 600 шт. —
32 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 1 340 ֏
Описание
SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
