MMST2907AQ-7, 10nA 60V 200mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

128 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 71 ֏

от 150 шт. — 53 ֏

от 500 шт. — 44 ֏

5 шт. на сумму 640 ֏

Номенклатурный номер: 8017656047

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Small Signal Transistor

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	600 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	600 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	200 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Вес, г	0.03