2SA2097(TE16L1,NQ), 100nA 50V 20W 200@500mA,2V 5A 270mV@1.6A,53mA PNP +150°C@(Tj) TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT
Описание
50V 20W 200@500mA,2V 5A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 270mV@1.6A, 53mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@500mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 0.4 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
