2SC2712-BL,LF(T, 100nA 50V 150mW 350@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA NPN +125°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
35580 шт., срок 6 недель
63 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 630 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
50V 150mW 350@2mA,6V 150mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 350@2mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
