MMBT9013H-H23, 100nA 30V 200mW 230@50mA,1V 500mA 100MHz 600mV@500mA,50mA NPN +150°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
200 шт., срок 7-8 недель
32 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
27 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 160 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
30V 200mW 230@50mA,1V 500mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 230@50mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
