Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › ZX5T853GTA, SOT-223-4 Bipolar Transistors - BJT

ZX5T853GTA, SOT-223-4 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

750 ֏

от 10 шт. — 530 ֏

от 30 шт. — 427 ֏

от 100 шт. — 383 ֏

1 шт. на сумму 750 ֏

Номенклатурный номер: 8017661922

Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	3000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.65 mm (Max)
Длина	6.7 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	200 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	180 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	6 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	130 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZX5T853
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm (Max)
Base Product Number	ZX5T853 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 2A, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	130MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	3W
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	220mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Вес, г	0.21