ZXTD718MCTA, DFN-8-EP(3x2) Bipolar Transistors - BJT
![ZXTD718MCTA, DFN-8-EP(3x2) Bipolar Transistors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/488/DOC029488652.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 10 шт. —
405 ֏
от 30 шт. —
344 ֏
от 100 шт. —
289 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 25 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 225 mV |
Configuration: | Dual |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 300 at-10 mA, -2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 3.5 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DFN3020B-8 |
Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | ZXTD718 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet ZXTD718MCTA
pdf, 190 КБ