2SC4117-GR,LF, SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT
15410 шт., срок 6 недель
85 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 850 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
120V 100mW 200@2mA,6V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 100mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 379 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
