TK16A60W,S4VX, TO-220 MOSFETs

TK16A60W,S4VX, TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1077 шт., срок 6-7 недель
2 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 000 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017666837
Бренд: Toshiba

Описание

DTMOSIV Series MOSFETs Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 50
Fall Time: 5 ns
Id - Continuous Drain Current: 15.8 A
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-220FP-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 40 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 38 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 160 mOhms
Rise Time: 25 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 100 ns
Typical Turn-On Delay Time: 50 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.7 V
Вес, г 2.61

Техническая документация

Datasheet TK16A60W.S4VX
pdf, 242 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг