AIGB30N65F5ATMA1, 30A 650V NPT TO-263-3-2 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 55А |
| Power Dissipation | 188Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet AIGB30N65F5ATMA1
pdf, 1479 КБ
