ADC114EUQ-7, 30@5mA,5V 300mV@500uA,10mA 2 NPN - Pre-Biased 270mW 250MHz 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors

Фото 1/2 ADC114EUQ-7, 30@5mA,5V 300mV@500uA,10mA 2 NPN - Pre-Biased 270mW 250MHz 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
80 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 400 ֏
Номенклатурный номер: 8017670168
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Prebias Transistor SOT363 T&R 3K

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 270 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Выходное напряжение 0.1 V
Канальный режим Enhancement
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальная рабочая частота 250 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-363-6
Collector Emitter Voltage Max NPN 50В
Collector Emitter Voltage Max PNP -
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 30hFE
Power Dissipation 270мВт
Количество Выводов 6 ???????
Корпус РЧ Транзистора SOT-363
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic 100мА
Полярность Цифрового Транзистора ??????? NPN
Резистор База-эмиттер R2 10кОм
Резистор На входе Базы R1 10кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 -
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Вес, г 0.006

Техническая документация

Datasheet ADC114EUQ-7
pdf, 370 КБ