FMMT458QTA, SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT

Фото 1/2 FMMT458QTA, SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
484 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.291 ֏
от 150 шт.251 ֏
от 500 шт.205 ֏
5 шт. на сумму 2 420 ֏
Номенклатурный номер: 8017672207
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 400V NPN High Volt 225mA 1A 100mA

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 225 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FMMT458
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet FMMT458QTA
pdf, 478 КБ
FMMT458Q
pdf, 616 КБ