FMMT458QTA, SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT
![Фото 1/2 FMMT458QTA, SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/276/DOC047276530.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
484 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
291 ֏
от 150 шт. —
251 ֏
от 500 шт. —
205 ֏
5 шт.
на сумму 2 420 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 400V NPN High Volt 225mA 1A 100mA
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 225 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FMMT458 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet FMMT458QTA
pdf, 478 КБ
FMMT458Q
pdf, 616 КБ