TK10A80E,S4X, TO-220SIS MOSFETs
![TK10A80E,S4X, TO-220SIS MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614537.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1032 шт., срок 6-7 недель
1 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 470 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
N-канал 800V 10A (Ta) 50W (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS
Технические параметры
Base Product Number | TLP421 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | ПЂ-MOSVIII -> |
Supplier Device Package | TO-220SIS |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet TK10A80E,S4X
pdf, 219 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг