FMMT493QTA, TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

357 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 225 ֏

от 150 шт. — 194 ֏

от 500 шт. — 156 ֏

5 шт. на сумму 1 785 ֏

Номенклатурный номер: 8017674744

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN Med PWR 1A Ic 2A Icm 500mW

Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FMMT493
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.03