DZTA92-13, TO-261-4 Bipolar Transistors - BJT

Фото 1/2 DZTA92-13, TO-261-4 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
580 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 2 900 ֏
Номенклатурный номер: 8017678908
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1W -300V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 6.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DZTA92
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
Collector Emitter Voltage Max 300В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 25hFE
DC Усиление Тока hFE 25hFE
Power Dissipation 1Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции DZT Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Частота Перехода ft 50МГц
Вес, г 0.31

Техническая документация

Datasheet DZTA92-13
pdf, 206 КБ