FMMT558, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 190 ֏
1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Описание
SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@6mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@50mA, 10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Collector Emitter Voltage Max | 400В |
| Continuous Collector Current | 150мА |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Вес, г | 0.06 |
