TPH4R008NH1,LQ(M, SOP MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4557 шт., срок 7-8 недель
1 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 560 ֏
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0033Ом |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 116А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Вес, г | 0.23 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
