SSM6N44FE,LM, ES-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 шт., срок 5-6 недель
168 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 840 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
π-MOS VI MOSFETs Toshiba -MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The -MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba -MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: | 4000 |
Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | ES6-6 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 200 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet SSM6N44FE.LM
pdf, 156 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг