RN1102MFV,L3F, Цифровые транзисторы, 50@10 мА, 5 В, 1 NPN - с предварительным смещением, 150 мВт, 100 мА, 50 В, цифровые транзисторы SOT-723
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6440 шт., срок 5-6 недель
168 ֏
Кратность заказа 20 шт.
20 шт.
на сумму 3 360 ֏
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-723 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Series: | RN1102 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Вес, г | 6.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 780 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
