TK100E06N1,S1X(S, TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 шт., срок 5-6 недель
1 850 ֏
1 шт.
на сумму 1 850 ֏
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 263 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 255 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 4.45mm |
| Вес, г | 6.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK100E06N1,S1X
pdf, 244 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
