FZT651QTA, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
401 ֏
от 25 шт. —
352 ֏
от 100 шт. —
269 ֏
2 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
| Application | automotive industry |
| Case | SOT223 |
| Collector current | 3A |
| Collector-emitter voltage | 60V |
| Frequency | 175MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 3W |
| Type of transistor | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.43 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Continuous Collector Current | 3А |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Частота Перехода ft | 175МГц |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet FZT651QTA
pdf, 474 КБ
