IRF710SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 290 ֏
от 10 шт. —
760 ֏
от 50 шт. —
600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 290 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Drain current | 1.2A |
| Drain-source voltage | 400V |
| Gate charge | 17nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 3.6Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 36W |
| Pulsed drain current | 6A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
