BC847BS-7-F, Транзистор: NPN x2, биполярный, 45В, 0,1А, 200мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
от 300 шт. —
26 ֏
от 3000 шт. —
20 ֏
10 шт.
на сумму 530 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор биполярный BC847BS-7-F от DIODES INCORPORATED — высококачественный полупроводниковый компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Эта модель обладает типом NPN, что делает её идеальной для широкого спектра электронных применений, требующих быстрого переключения и низкого напряжения. Корпус SOT363 гарантирует компактные размеры и удобство интеграции в печатные платы. Мощность устройства составляет 0,2 Вт, что обеспечивает хороший баланс между производительностью и энергоэффективностью. Использование BC847BS7F в вашем проекте позволит достичь отличной стабильности и надёжности в работе электронных схем. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Мощность, Вт | 0.2 |
| Корпус | SOT363 |
Технические параметры
| Base Product Number | BC847 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 400 mV |
| Configuration | Dual |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 200 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | BC847B |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 106 КБ
Datasheet BC847BS-7-F
pdf, 196 КБ
Datasheet BC847BS
pdf, 359 КБ
