BCP55TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223
![Фото 1/2 BCP55TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
181 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
132 ֏
от 150 шт. —
119 ֏
5 шт.
на сумму 905 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCP55 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 375 КБ