FZT655TA, Транзистор: NPN

Фото 1/3 FZT655TA, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт.405 ֏
от 30 шт.335 ֏
от 100 шт.283 ֏
1 шт. на сумму 710 ֏
Номенклатурный номер: 8017712626
Бренд: DIODES INC.

Описание

Transistors/Thyristors\Bipolar (BJT)
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 150V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@200mA, 1A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 50@500mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 2W
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 30MHz
Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm
Длина 6.7 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A,
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 50
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 180 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 30 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT655
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Case SOT223
Collector current 1A
Collector-emitter voltage 150V
Frequency 30MHz
Kind of package reel, tape
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Mounting SMD
Polarisation bipolar
Power dissipation 3W
Type of transistor NPN
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet FZT655TA
pdf, 266 КБ
FZT655
pdf, 267 КБ