2N7002WT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 310MA SOT323
![Фото 1/3 2N7002WT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 310MA SOT323](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757521.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461649.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/473/DOC013473335.jpg)
63 ֏
от 10 шт. —
49 ֏
от 100 шт. —
38 ֏
от 500 шт. —
32 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 63 ֏
Посмотреть аналоги8
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 310MA SOT323 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 9 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 310 mA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SC-70-3 |
Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
Rise Time: | 9 ns |
Series: | 2N7002W |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 55.8 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12.2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.017 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ