SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -15,4А, 3,8Вт, SO8
![Фото 1/2 SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -15,4А, 3,8Вт, SO8](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775173.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/245/DOC036245512.jpg)
1 680 ֏
1 шт.
на сумму 1 680 ֏
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -15,4А, 3,8Вт, SO8 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид | MOSFET |
Тип | полевой |
Case | SO8 |
Drain current | -15.4A |
Drain-source voltage | -30V |
Gate charge | 44.8nC |
Gate-source voltage | ±25V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | VISHAY |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 8.8mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 3.8W |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 168 КБ