FMMT493TA, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
![Фото 1/6 FMMT493TA, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735678.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458815.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC003306385.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/917/DOC037917288.jpg)
58 ֏
Мин. кол-во для заказа 36 шт.
от 169 шт. —
44 ֏
от 337 шт. —
38 ֏
от 674 шт. —
34 ֏
36 шт.
на сумму 2 088 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Технические параметры
Корпус | SOT23-3 | |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В | |
Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
Максимальная рабочая частота | 150 MHz | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.15 V | |
Длина | 3мм | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V | |
Производитель | DiodesZetex | |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В | |
Тип корпуса | SOT-23 | |
Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
Ширина | 1.4мм | |
Максимальный пост. ток коллектора | 1 A | |
Тип транзистора | NPN | |
Высота | 1.1мм | |
Число контактов | 3 | |
Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм | |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В | |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 20 | |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Конфигурация | Single | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | FMMT493 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Diodes Incorporated | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V | |
Maximum DC Collector Current | 1A | |
Pd - Power Dissipation | 500mW | |
Transistor Type | NPN | |
Maximum Collector Base Voltage | 120 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 500 mW | |
Minimum DC Current Gain | 100 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Вес, г | 0.031 |