TN2130K1-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
401 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
392 ֏
3000 шт.
на сумму 1 203 000 ֏
Описание
Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet
The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 25Ом |
| Power Dissipation | 360мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 300В |
| Непрерывный Ток Стока | 85мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 360мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 25Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | SOT-23 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 751 КБ
Datasheet TN2130K1-G
pdf, 625 КБ
