N-Channel MOSFET, 2.9 A, 12 V PICOSTAR CSD13383F4T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
Кратность заказа 250 шт.
250 шт.
на сумму 187 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор 12V N-Channel FemtoFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PICOSTAR |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Qg - заряд затвора | 2.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 123 ns |
| Время спада | 315 ns |
| Высота | 0.35 mm |
| Длина | 1 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | FemtoFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | CSD13383F4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 96 ns |
| Типичное время задержки при включении | 39 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Ширина | 0.64 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 921 КБ
