N-Channel MOSFET, 2.9 A, 12 V PICOSTAR CSD13383F4T
![Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 2.9 A, 12 V PICOSTAR CSD13383F4T](https://static.chipdip.ru/lib/199/DOC026199613.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610953.jpg)
1 060 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 10 600 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор 12V N-Channel FemtoFET МОП-транзистор
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | PICOSTAR |
Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Qg - заряд затвора | 2.6 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 123 ns |
Время спада | 315 ns |
Высота | 0.35 mm |
Длина | 1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | FemtoFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 250 |
Серия | CSD13383F4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 96 ns |
Типичное время задержки при включении | 39 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
Ширина | 0.64 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 921 КБ