DPLS350Y-13, Транзистор: PNP
![Фото 1/2 DPLS350Y-13, Транзистор: PNP](https://static.chipdip.ru/lib/980/DOC022980445.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
247 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
159 ֏
от 150 шт. —
141 ֏
от 500 шт. —
126 ֏
5 шт.
на сумму 1 235 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\Bipolar (BJT)
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 3A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 390mV@3A, 300mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@1A, 2V |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
Maximum DC Collector Current | -3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |