CSD18537NQ5AT, Транзистор N-канал 60В 50A Q5AT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
335 ֏
от 50 шт. —
181 ֏
1 шт.
на сумму 335 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 75Вт, VSONP8 5x6мм Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Brand: | Texas Instruments | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Development Kit: | TPS40170EVM-597 | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 3.2 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A | |
Manufacturer: | Texas Instruments | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | VSONP-8 | |
Pd - Power Dissipation: | 75 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 14 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms | |
Rise Time: | 4 ns | |
Series: | CSD18537NQ5A | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | NexFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET | |
Type: | NexFET Power MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 14.4 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V | |
Вес, г | 1 |