FMMT494QTA, Транзистор: NPN

Фото 1/2 FMMT494QTA, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
278 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.194 ֏
от 150 шт.176 ֏
от 500 шт.158 ֏
5 шт. на сумму 1 390 ֏
Номенклатурный номер: 8018219528
Бренд: DIODES INC.

Описание

120V 500mW 100@250mA,10V 1A NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 120V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@250mA, 10V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 500mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 100MHz
Pd - рассеивание мощности 500 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max 120В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 20hFE
DC Усиление Тока hFE 20hFE
Power Dissipation 500мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Частота Перехода ft 100МГц
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet FMMT494TA
pdf, 380 КБ