TEFT4300, фототранзистор 925нм 180кГц 3MM 30DEG FILTR-e2
![Фото 1/4 TEFT4300, фототранзистор 925нм 180кГц 3MM 30DEG FILTR-e2](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735366.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/958/DOC026958713.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC014077203.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/047/DOC024047306.jpg)
236 ֏
от 50 шт. —
112 ֏
от 200 шт. —
103 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 236 ֏
Описание
фототранзисторы
Описание Фототранзистор, p макс 925нм, 70В, 60°, d 0,875-1мкм
Технические параметры
Brand | Vishay Semiconductors |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 70 V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 70 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
Dark Current | 200 nA |
Factory Pack Quantity | 5000 |
Half Intensity Angle Degrees | 30 deg |
Lens Color/Style | Black |
Light Current | 3.2 mA |
Manufacturer | Vishay |
Maximum On-State Collector Current | 50 mA |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | T-1 |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Peak Wavelength | 925 nm |
Product | Phototransistors |
Product Category | Phototransistors |
Product Type | Phototransistors |
Subcategory | Optical Detectors and Sensors |
Type | IR Chip |
Wavelength | 925 nm |
Wavelength Typ | 925nm; Viewing Angle |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 105 КБ
Документация
pdf, 103 КБ