BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8
![Фото 1/2 BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8](https://static.chipdip.ru/lib/636/DOC035636111.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523759.jpg)
484 ֏
от 10 шт. —
291 ֏
от 40 шт. —
269 ֏
от 70 шт. —
268 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
МОП-транзистор TRENCH >=100V
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Корпус | TDSON-8 | |
Id - непрерывный ток утечки | 100 A | |
Pd - рассеивание мощности | 156 W | |
Qg - заряд затвора | 37 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 10 ns | |
Время спада | 16 ns | |
Другие названия товара № | BSC0802LS SP001614074 | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 5000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 40 ns | |
Типичное время задержки при включении | 9.6 ns | |
Торговая марка | Infineon Technologies | |
Упаковка / блок | TDSON-8 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet BSC0802LSATMA1
pdf, 1013 КБ