IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
![Фото 1/2 IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921186.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484045.jpg)
2 000 ֏
от 5 шт. —
1 830 ֏
от 20 шт. —
1 790 ֏
от 35 шт. —
1 660 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Описание
IGBT транзисторы
Технические параметры
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
Корпус | TO-247 | |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В | |
Collector Emitter Voltage Max | 650В | |
Continuous Collector Current | 61А | |
Power Dissipation | 108Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IHFW40N65R5SXKSA1
pdf, 1597 КБ