Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPD60R1K0PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В ...

IPD60R1K0PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 8.8А DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

132 ֏

от 10 шт. — 75 ֏

1 шт. на сумму 132 ֏

Номенклатурный номер: 8018326332

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

транзисторы полевые импортные

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Структура	N-канал
Корпус	DPAK(TO-252AA)
Id - непрерывный ток утечки	4.7 A
Pd - рассеивание мощности	26 W
Qg - заряд затвора	6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.978 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	50 ns
Другие названия товара №	IPD60R1K0PFD7S SP005353999
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	40 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	42 ns
Типичное время задержки при включении	7.7 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	DPAK-3
Чувствительный к влажности	Yes
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.84Ом
Power Dissipation	26Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	CoolMOS PFD7 SJ
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	4.7А
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	26Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.84Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Вес, г	1