IPN60R600PFD7SATMA1, N канал транзистор 650В 14А SOT223

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

439 ֏

от 10 шт. — 215 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 439 ֏

Номенклатурный номер: 8018326337

транзисторы полевые импортные

The Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications.

Структура	N-канал
Корпус	SOT-223-3
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	6 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	3
Drain Source On State Resistance	0.517Ом
Power Dissipation	7Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	CoolMOS PFD7 SJ
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	6А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	7Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.517Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1