IPP039N04LGXKSA1, N канал транзистор 40В 80А TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 ֏
от 10 шт. —
421 ֏
от 40 шт. —
407 ֏
от 70 шт. —
403 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой IPP039N04LGXKSA1 от производителя INFINEON - это высококачественный компонент для эффективного управления силовыми цепями. Модель обладает впечатляющим током стока в 80 А и надежно работает при напряжении сток-исток до 40 В. Этот транзистор спроектирован для монтажа THT, что облегчает его установку в различные типы печатных плат. Мощность устройства достигает 94 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0039 Ом, гарантирует высокую эффективность и минимальные потери энергии. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает надежную защиту и удобство использования. Продукт с кодом IPP039N04LGXKSA1 идеально подходит для использования в различных электронных проектах, требующих компонентов с высокой производительностью и надежностью. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 80 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 94 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0039 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Корпус | to-220 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Forward Diode Voltage | 1.2V | |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 94 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| Width | 4.572mm | |
| Continuous Drain Current | 80(A) | |
| Drain-Source On-Res | 0.0039(ohm) | |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) | |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements | 1 | |
| Operating Temp Range | -55C to 175C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Polarity | N | |
| Power Dissipation | 94(W) | |
| Rad Hardened | No | |
| Type | Power MOSFET | |
| Вес, г | 2.9 |
