IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ
![Фото 1/2 IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ](https://static.chipdip.ru/lib/578/DOC044578459.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/680/DOC029680029.jpg)
870 ֏
от 10 шт. —
780 ֏
от 40 шт. —
760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой IRF6645TRPBF от производителя INFINEON представляет собой высокоэффективный компонент для современной электроники. Он выполнен в технологии N-MOSFET, что обеспечивает отличные характеристики при работе с током стока 5,7 А и напряжением сток-исток до 100 В. Мощность устройства достигает 42 Вт, что позволяет использовать его в различных сферах применения, от бытовой электроники до индустриальных систем управления. Монтаж данного компонента осуществляется методом SMD, что делает его идеальным выбором для поверхностного монтажа на печатные платы. Корпус DirectFET обеспечивает надежную теплоотдачу и уменьшает сопротивление, что увеличивает эффективность и срок службы транзистора. Продукт соответствует современным стандартам качества и надежности. Ищите этот компонент под кодом IRF6645TRPBF для обеспечения оптимальных характеристик ваших электронных проектов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 5.7 |
Напряжение сток-исток, В | 100 |
Мощность, Вт | 42 |
Корпус | DirectFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 25 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 0.035 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DirectFET ISOMETRIC | |
Series | DirectFET | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRF6645TRPBF
pdf, 233 КБ