RN2315TE85LF, Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms

RN2315TE85LF, Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2970 шт., срок 7-9 недель
396 ֏
1 шт. на сумму 396 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8018630955
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 100 мВт Поверхностный монтаж USM

Технические параметры

Base Product Number CRF02 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status RoHS Compliant
Supplier Device Package USM
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 598 КБ
Datasheet RN2315TE85LF
pdf, 609 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг