RN2315TE85LF, Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms
![RN2315TE85LF, Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC004173741.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2970 шт., срок 7-9 недель
396 ֏
1 шт.
на сумму 396 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 100 мВт Поверхностный монтаж USM
Технические параметры
Base Product Number | CRF02 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 100mW |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | USM |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 598 КБ
Datasheet RN2315TE85LF
pdf, 609 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг